高頻開關整流器用功率管是什么，功率管的特性及主要參數

自20世紀70年代開關電源實現“20 khz”的之后的一段時間內，雖然在電路技術方面進行了改進和提高，但局限于當時半導體器件工業(yè)的發(fā)展水平，作為開關電源主要部件的大功率開關管的主要參數均滿足不了較高頻率、較大功率開關電源的設計要求。
高頻開關整流器用功率管是什么 自20世紀80年代以來大功率、高反壓的絕緣柵場效應功率管問世之后，伴隨著開關電源**集成控制電路的應用，已逐步將開關電源的工作頻率提高到100khz以上甚至達到500～700khz。電源的體積和重量大大減小,單機輸出功率由過去的幾百瓦已發(fā)展到現在的幾千瓦。
mosfet功率管的特性及主要參數
金屬-氧化物-半導體場效應管(metal-oxide-seniconductor type field-effect transistor)簡稱mosfet，是在近十幾年發(fā)展起來的一種高速、大功率、高耐壓的開關器件，由于這種開關功率管屬電壓控制型，穩(wěn)態(tài)工作時柵較控制電流很小，所以具有很高的電流增益和輸入阻抗。而且結電容很小，幾乎不存在儲存時間。
(a)和(b)分別為npn 型雙較型晶體管和n溝道 mosfet的表示符號。
(a)中雙較型晶體管的3個較分別為集電極(c)、基較(b)和**較(e)，也就是我們一般所稱的三極管。mosfet 與之相對應的3個較分別為漏較(d)、柵較(g)和源較(s)。n溝道m(xù)osfet管工作時的電流流向與npn型三極管電流流向相同，這就決定了mosfet管在電路中的連接方法與npn型三極管是一致的，但它們在構造和工作方法上有很大的區(qū)別。根本的區(qū)別是mosfet管是多數載流子運動導電的半導體器件而三極管是既利用多數載流子又利用少數載流子運動而導電的半導體器件。
mosfet管的靜態(tài)工作特性與雙較型晶體管的工作特性很相似，mosfet管的輸出特性曲線。
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