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華潤華晶CS10N80FA9D

描述
cs10n80fa9d,硅n溝道增強型vdmosfet是通過自對準(zhǔn)平面技術(shù)獲得的這減少了傳導(dǎo)損耗,改善了開關(guān)性能并增強雪崩能量。晶體管可用于系統(tǒng)的各種電源開關(guān)電路小型化和更高的效率。包裝形式為to-220f,符合rohs標(biāo)準(zhǔn)。
特征
•快速切換
•lesd改進(jìn)能力
•低柵極電荷(典型數(shù)據(jù):65nc)
•低反向轉(zhuǎn)移電容(典型值:25pf)
•100%單脈沖雪崩能量測試
應(yīng)用
•pc power的電源開關(guān)電路

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