上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRi 霍爾離子源 eH 400

美國 kri霍爾離子源eh 400上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 kri霍爾離子源eh 400 低成本設(shè)計提供高離子電流 > 750 ma,霍爾離子源eh 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.kri霍爾離子源eh 400特性高離子束電流滿足沉積率的臨界到達(dá)比低離子能量通過避免高能離子對表面和界面的轟擊損傷而使產(chǎn)量更大化寬束, 發(fā)散離子束通過均勻地覆蓋沉積區(qū)從而增加每次加工零件數(shù)量來提高吞吐量堅固耐用的模塊化結(jié)構(gòu)降低了備件耗材和維護(hù)時間, 減少維護(hù)成本和停機(jī)時間無柵網(wǎng), 緊湊設(shè)計, 方便加裝, 提供離子輔助功能kri霍爾離子源eh 400 技術(shù)參數(shù):
型號
eh 400
陽極
dc
陽極電流
5a
離子束流
>750ma
陽極電壓范圍
40-300v
離子能量范圍
25-300ev
陽極功率
500w (輻射冷卻)
氣體
惰性氣體和反應(yīng)氣體
氣體流量
3-30 sccm
壓力
< 1 x 10-3 torr
離子束流直徑
4cm φ
離子束發(fā)散角度
> 45° (hwhm)
陰極中和器
沉浸式或非沉浸式
高度
3.0” (7.62cm)
直徑
3.7” (9.4cm)
kri霍爾離子源eh 400應(yīng)用領(lǐng)域:電子束蒸發(fā), 磁控濺射中的 ibad 輔助鍍膜沉積前的預(yù)清潔類金剛石碳涂層低能離子束蝕刻離子束濺射kri霍爾離子源輔助鍍膜ibad典型案例:設(shè)備: 美國進(jìn)口 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)離子源型號: eh 400應(yīng)用: ibad 輔助鍍膜,通過向生長的薄膜中添加能量來增強(qiáng)分子動力學(xué), 以增加表面和原子 / 分子的流動性, 從而導(dǎo)致薄膜的致密化或通過向生長薄膜中添加活性離子來增強(qiáng)薄膜化合物的化學(xué)轉(zhuǎn)化, 從而得到化學(xué)計量完整材料.離子源對工藝過程的優(yōu)化: 無需加熱襯底,對溫度敏感材料進(jìn)行低溫處理, 簡化反應(yīng)沉積.
1978 年 dr. kaufman 博士在美國創(chuàng)立 kaufman & robinson, inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源,霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng)40 年改良及發(fā)展已取得多項專 . 離子源廣泛用于離子清洗 pc, 離子蝕刻 ibe, 輔助鍍膜 ibad, 離子濺射鍍膜 ibsd 領(lǐng)域,上海伯東是美國考夫曼離子源總代理.
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論,請參考以下聯(lián)絡(luò)方式：
上海伯東: 羅女士 臺灣伯東:王女士
t: +86-21-5046-3511 ext 108 t: +886-03-567-9508 ext 161
f: +86-21-5046-1490f: +886-03-567-0049
m: +86 152-0195-1076 m: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cnwww.hakuto-vacuum.com.tw
上海伯東版權(quán)所有,翻拷必究！