華潤華晶CS4N65A4R

描述
cs4n65a4r，硅n溝道增強型vdmosfet是通過自對準平面技術(shù)獲得的這減少了傳導損耗，改善了開關(guān)性能并增強雪崩能量。晶體管可用于系統(tǒng)的各種電源開關(guān)電路小型化和更高的效率。包裝形式為to-252，符合rohs標準。
特征
快速切換
低導通電阻（rdson≤2.8Ω)
低柵極電荷（典型數(shù)據(jù)：14.5nc）
低反向轉(zhuǎn)移電容（典型值：3.5pf）
100%單脈沖雪崩能量測試
應用
適配器和充電器的電源開關(guān)電路。